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Intel 4制程开始大规模量产，Intel首次采用EUV极紫外曝光技术

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Intel 4制程开始大规模量产，Intel首次采用EUV极紫外曝光技术

Intel官方宣布，已经开始采用EUV极紫外曝光技术，大规模量产Intel 4制程。 这是Intel首个采用EUV生产的制程节点，对比前代在性能、能效、晶体管密度方面均实现了显著提升。

Intel 4技术首发用于代号Meteor Lake的CoreUltra处理器，将在12月14日正式发布，面向主流和轻薄笔记本。

Intel 4制程开始大规模量产，Intel首次采用EUV极紫外曝光技术

目前，Intel正在稳步推进「四年五个制程节点」计画。 其中，Intel 7和Intel 4已实现大规模量产，前者用于12/13/14代Core。 Intel 3正在按计划推进，目标是2023年底。

明年上半年，Intel将推出首个采用Inte 3的Sierra Forest处理器，基于E核架构，最多288核心，随后是同样Intel 3工艺、P核设计的Granite Rapids。

Intel 4制程开始大规模量产，Intel首次采用EUV极紫外曝光技术

Intel 20A和Intel 18A同样进展顺利，目标是2024年，将首次采用RibbonFET全环绕栅极晶体、PowerVia背面供电技术。

此外，Intel即将推出面向代工服务客户的Intel 18A制程设计套件（PDK）。

除了延续现有方案在最关键层使用EUV（极紫外光微影制程），Intel 4制程节点有会在互连层中使用EUV，以大幅度减少光罩数量和制程步骤，降低制程的复杂性，更将导入全球第一款量产型高数值孔径（High-NA）EUV系统。

Intel 4与未来Intel 3制程节点都以FinFET为基础，Intel 2制程节点则将跃生为以GAA（Gate-All-Around，闸极全环电晶体）技术为基础的RibbonFET。▲ Intel 4与未来Intel 3制程节点都以FinFET为基础，Intel 2制程节点则将跃生为以GAA（Gate-All-Around，闸极全环电晶体）技术为基础的RibbonFET。

测试生产的Meteor Lake运算单元小芯片就是采用Intel 4制程节点。▲ 测试生产的Meteor Lake运算单元小芯片就是采用Intel 4制程节点。

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