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三星准备推出第五代HBM3e Shinebolt内存：24Gb、12层堆叠、36GB容量和50%效能提升

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据报道三星电子已开始测试代号为Shinebolt的第五代HBM3E既体，缩小与SK Hynix的差距。

HBM3e在业界的意义是巨大的，因为它将为下一代AI GPU铺平道路，而这对于实现高运算性能至关重要。 根据韩国商报报道三星的HBM3e内存类型被命名为Shinebolt，这家韩国龙头已经向潜在客户发送了原型机，试图通过品质测试。 这一发展对于三星内存部门的未来具有重要意义，因为目前的指标表明三星计划在HBM行业中取得主导地位。
Samsung-HBM3e-Shinebolt-Memory.png
虽然有关三星Shinebolt HBM3e内存的细节很少，但据报道原型版本将采用8-Hi封装的24GB芯片堆叠，然而最终产品可能会采用更多堆叠。 SK Hynix和Micron也已经在开发12-Hi HBM3解决方案。 凭借12-Hi封装，三星将能够在单一HBM3e堆栈上提供高达36GB的容量。

初步测试显示三星HBM3e的最大数据传输速度将比其前身提高50%，这将再次为下一代运算派上用场。 传输速度预计为1.228TB/s，高于SK Hynix的HBM3e版本。

人工智能发展的激增无疑促进了人工智能产业的快速发展，也为其他参与者创造了进入的空白。 由于三星的内存部门在初期无法实现资本化，因此看起来未来对他们来说是令人兴奋的，特别是因为主要科技公司实际上对该公司的产品表现出了兴趣。

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