三星公开下一代芯片的背面供电技术，加入与Intel的竞争

三星为其未来的芯片采用了背面供电方法，与传统制程相比有了显著改进。

三星电子在日本举行的VLSI研讨会上发表文章，披露了新的BSPDN（背面供电网络）方法的指标。 对于那些现在一无所知的人来说，制定电力传输网络的目的是最有效地为芯片提供电压。 从形式上来说制造商采用了通过晶圆正面的传输方式，虽然这种方法可以完成工作，但它会带来功率密度下降的代价，最终导致性能下降。

新的BSPDN方法尚未被代工厂采用，三星是第一个披露该创新方法结果的公司。 据韩国龙头称与传统方法相比，他们减少了14.8%的面积。 面积的减少使公司有更多的空间在芯片中添加更多好东西，例如晶体管，从而整体提高性能。

三星还报告称电线长度减少了9.2%，虽然我们不会深入探讨其物理原理，但总而言之长度减少会导致电阻降低，允许更大的电流流过，从而将沿线的功率损耗降至最低。 具有改进的电力传输。

三星并不是第一家公开BSPDN方法的公司，早在6月份Intel也曾举办过该方法的发布会并将其命名为PowerVia。 Intel宣布计划将新方法整合到其Intel 20A制程中，芯片利用率达到90%。 该公司表示PowerVia将解决硅架构中互连的瓶颈问题，透过晶圆背面提供电力，从而实现连续传输。 Intel预计将在即将于2024年推出的Arrow Lake CPU中使用这种新方法。

三星尚未透露新的电力传输方法是否会整合到未来的制程中。 然而根据该公司目前披露的信息，我们认为在Intel实施后不久，三星的下一代工艺可能会采用该技术。