全汉将在1650W MEGA Ti高阶电源供应器中采用GaN氮化镓

根据Cowcotland报道全汉正在准备采用GaN（氮化镓）技术的1650W MEGA Ti电源供应器

在深入探讨之前，我们先来看看GaN的实现到底是什么。 氮化镓是一种宽带隙（WBG）半导体材料，通常被视为业界传统硅的替代品。 除了智能手机制造商为其更高等级的供电而提供的充电解决方案外，电力传输产业尚未使用采用GaN的设备。

就采用此技术的优势而言，与硅相比，氮化镓（GaN）表现出卓越的电子传导性和对更高电场的适应能力。 它在速度、耐温性和功率处理方面优于硅，导致其在各种功率转换和射频应用中越来越多地采用，并逐渐取代硅基设备。 然而其较高的成本尚未大规模采用，这就是现代电源不使用GaN的原因。 但电源供应器现在计划以其高阶电源供应器系列进入该领域。

在某些情况下我们看到电源供应器中部分使用了GaN，例如Corsair的AX1600i 80+ Titanium电源，其采用GaN晶体管，但这仅限于希望获得最高效率的高阶电源的特定用户。 售价限制使得GaN不值得公司投入时间，因为它涉及复杂的制造流程以及增加的研发成本，这最终将转化为产品的定价。

全汉尚未具体说明是否计划量产其1650W MEGA Ti电源。 另外该公司拥有大量符合最新ATX 3.0标准的电源供应器，并且该司还在投资更新的12V-2×6设计，这使其电源供应器也为下一代PCIe 6.0硬件做好了准备。 虽然GaN技术有其自身的优点，但其缺点导致公司不愿采用它，但随着时间的推移，我们可能会看到它被采用。