将在2028年以前投入20兆韩元
三星宣布，位于韩国京畿道龙仁市器兴园区的新半导体芯片研发中心正式动土，同时将在2028年以前投入20兆韩元推动先进制程技术发展。
而近期正式获得韩国总统特赦，再次重掌三星集团的三星副会长李在镕，稍早与100多名三星主管一同参与此次破土典礼。
选在器兴园区建立新半导体芯片研发中心，显然对三星别具意义，因为这里是三星在40多年前开始制造生产其半导体芯片产品的地方，并且从1992年开始加入生产64MB动态存储器 （DRAM）。
新半导体芯片研发中心约占地10.9万平方米，将投入芯片设计、推动芯片代工技术与储存元件等半导体业务发展，预计在2025年正式启用。
至于此次宣布半导体芯片研发中心正式动土，更代表三星持续强化自身半导体芯片技术发展决心，并且计划在先进制程技术发展与台积电等业者加强竞争能力。
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