PCIe 4.0入门新星，游戏玩家好选择-KLEVV CRAS C910 Lite SSD评测

KLEVV 推出的新款PCIe 4.0 M.2 NVMe 入门等级 SSD – CRAS C910 Lite，不仅提供更亲民、高性价比的价格选择，除了可使用在桌上型电脑，同时也适合笔记本或与外接盒搭配，摇身变成高速外接储存装置。

CRAS C910 Lite使用DRAM-Less的群联Phison PS5021-E21主控方案，藉由智慧型 SLC 快取技术，利用闪存的部分区块作为快取，借此提高效能与耐久度，并支持 LDPC 除错机制、SMART ECC 2.0 等功能。

闪存则为美光Micron 176层堆叠的3D NAND QLC颗粒（IA7HG96AZA），单颗容量512GB，以这次测试的2TB容量版本，共使用四颗组成2TB，写入寿命达640 TBW，日常使用非常足够。

CRAS C910 Lite 提供 500GB/1TB/2TB/4TB 四种不同容量，500GB 的写入速度为每秒 1,700MB， 2TB 以上容量版本循序读写速度可达最高速度每秒 5,000MB/4,200MB，如果预算足够建议购买 2TB 或以上版本。 1TB 版本读写速度每秒 5,000MB/3,200MB，如果预算有限的话，选 1TB 容量也行。

容量	500GB	1TB	2TB	4TB
规格尺寸	M.2 2280
传输接口	NVMe PCIe Gen4x4
控制器	Phison PS5021-E21-48
闪存颗粒	3D 闪存
循序读取速度（MB/s）	4,700	5,000
循序写入速度（MB/s）	1,700	3,200	4,200
4K 随机读取（IOPS）	320K	630K	680K	600K
4K 随机写入（IOPS）	400K	720K	880K	840K
最大写入量（TBW）	160	320	640	1280
尺寸	80 x 22 x 2.15mm
重量	7g
保固	五年有限保固

本次测试的款式为 CRAS C910 Lite 2TB 版本，在 SSD 正面有一片薄薄的标签贴纸，上面标示产品名与容量。 SSD 本身工作温度并不高，如果要额外添加散热片，可以直接安装在标签贴纸上，若移除标签贴纸有破坏产品保固疑虑。

这款SSD采用单面组件设计，正面中间为Phison PS5021主控制器与 Phison PS6121-45 电源供应IC，左右两侧各两颗 Micron IA7HG96AZA 3D QLC 颗粒组成。

为确保数据的完整和可靠性，CRAS C910 Lite 支持 LDPC ECC 调试机制，除了提高数据耐用度，也确保数据传输过程中的正确性。

通过错误校正、全局平均抹写、温控调频和 256-bit 加密技术，能确保数据安全被妥善保存。通过自我监控、分析与报告技术（S.M.A.R.T.），玩家也能实时监测硬盘的健康状态、当前温度与储存容量等信息。

接着，让我们来看看它的效能表现。

性能测试

测试平台
CPU	AMD Ryzen 9 7900X
主板	技嘉 B650E AORUS MASTER
内存	DDR5 5600 16GB*2
散热器	Thermalright Burst Assassin 120
电源	Seasonic FOCUS GX 1000W Gold
操作系统	Windows 10 专业版 64 Bit

通过CrystalDiskInfo可以看到KLEVV CRAS C910 Lite M.2 NVMe SSD相关资讯，接口为NVM Express 1.4、传输模式PCIe 4.0 x4，容量2048.4 GB，支持S.M.A.R.T.、TRIM、VolatileWriteCache等功能。

在CrystalDiskMark峰值性能测试结果里面，可以看到KLEVV CRAS C910 Lite的循序读写速度为每秒 5,072.76MB/4,258.57MB。 Q32T16 的 4K 随机读写则分别测得 67.38 万与 83.20 万 IOPS，其循序读写速度比官方标称值（每秒 5,000 MB/4,200MB）高了一点，4K 读写则很贴近标示数据。

延迟方面，随机读取延迟61.52 us，随机写入延迟9.97 us，70/30混合随机读写延迟46.59 us，在这个等级的SSD性能表现不错，可以满足大部分用户的需求。

ATTO Disk Benchmark 在伫列深度（Queue Depth）4 的设置下，区块尺寸在512KB以上有接近最大效能表现，测试效能相当稳定，在模拟SLC快取帮助下，最大循序读写速率达每秒6.91GB/4.63GB。

在16KB区块大小时测得最大读取166.84K IOPS，写入值则是在32KB区块大小时测得151.80K IOPS。

利用AIDA64 Disk Benchmark的连续线性写入来看快取状况，CRAS C910 Lite在写至约25%（约500GB）容量之前，最高写入速度可保持在每秒4200 MB左右，其后因从QLC划分出用以模拟SLC快取已耗尽，写入速度掉到每秒100MB。对于日常使用与游戏用途无须过于担心，当然，若常常需要连续传输、大档读写需求的用户，建议可考虑购入更高阶的CRAS C920、C930等产品。

AS SSD Benchmark 测得循序读写速度分别为每秒 4298.13MB/4147.02MB，4K-64Thrd 测得读写数据为 62.56 万/68.99 万 IOPS，Compression Benchmark 读取从测试开始就一路往上冲，最高速度每秒约 6,483 MB，写入速度每秒约 4,776MB。

3DMark 存储基准测试是用于测试目前最新 PC 存储设备的游戏性能工具，和 PCMark 10 的磁盘测试类似，基于真实应用的磁盘轨迹回放，专注在实用和真实游戏性能表现。 CRAS C910 Lite得分为3141，平均传输带宽为每秒498.71MB，平均延迟为53us，整体表现足以让绝大多数游戏玩家感到满意。