三星推出9.8Gbps HBM3E Shinebolt、32Gbps GDDR7、7.5Gbps LPDDR5x CAMM2内存

三星在2023年内存技术日期间正式推出了其下一代内存技术，包括HBM3E、GDDR7、LPDDR5x CAMM2等。

Samsung-HBM3e-GDDR7-Memory-g-very_compressed-scale-4_00x-Custom.png

凭借三星在2016年将业界首款HBM2商业化并开启高效能运算（HPC） HBM 市场的专业知识，该公司今天推出了名为Shinebolt的下一代HBM3E DRAM。三星的Shinebolt将为下一代人工智能应用提供动力，提高整体拥有成本（TCO），并加快数据中心的人工智能模型训练和推理速度。

HBM3E拥有令人印象深刻的速度9.8Gb/秒（Gbps），这意味着它可以实现超过1.2TB/秒（TBps）的传输速率。为了实现更高层堆叠并改善散热，三星优化了其非导电薄膜（NCF）技术，以消除芯片层之间的间隙并最大限度地提高热导率。三星的8H和12H HBM3产品目前已进入量产阶段，Shinebolt的样品也已出货给顾客。

凭借其作为整体半导体解决方案提供商的实力，该公司还计划提供将下一代HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起的定制服务。

其他活动的重点产品包括业界最高容量的32Gb DDR5 DRAM、业界首款32Gbps GDDR7以及PB级PBSSD，后者可大幅提升服务器应用的储存能力。

据三星称与目前最快的24Gbps GDDR6 DRAM（提供高达16Gb芯片容量）相比，GDDR7内存将提供40%的性能提升和20%的能源效率提升。首批产品的额定传输速度高达32Gbps，这比GDDR6内存提高了33%，同时实现了在384位总线接口解决方案上实现的高达1.5TB/s的带宽。

以下是GDDR7 32Gbps速度在多种总线配置中提供的带宽：
512-bit – 2048 GB/s (2.0 TB/s)
384-bit – 1536 GB/s (1.5 TB/s)
320-bit – 1280 GB/s (1.3 TB/s)
256-bit – 1024 GB/s (1.0 TB/s)
192-bit – 768 GB/s
128-bit – 512 GB/s

该公司还测试了运行速度高达36Gbps的早期样品，但这些样品是否能实现足够的量产以满足下一代游戏和AI GPU系列的需求？ GDDR7的效率也将提高20%，考虑到高阶GPU的显示内存消耗大量电力，这一点非常好。据称三星GDDR7 DRAM将采用专门针对高速工作负载进行优化的技术，并且还将提供低工作电压选项，专为笔记本电脑等需要谨慎用电的应用而设计。对于散热，新的内存标准将采用具有高导热性的环氧模塑料（EMC），可将热阻降低高达70%。早在8月就有报道称三星正在向NVIDIA提供GDDR7 DRAM样品，以对其下一代游戏显示卡进行早期评估。

为了处理数据密集型任务当今的人工智能技术正在转向混合模型，在云和边缘设备之间分配工作负载。因此三星推出了一系列支持高性能、大容量、低功耗和小型边缘的内存解决方案。

除了业界首款7.5Gbps LPDDR5X CAMM2（预计将成为下一代PC和笔记本电脑DRAM市场的真正游戏规则改变者）之外，该公司还展示了其9.6Gbps LPDDR5X DRAM、专门用于设备上AI 的LLW DRAM 、新一代通用闪存存储（UFS）和用于PC的高容量四级单元（QLC） SSD BM9C1。